近日，江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)”專項(xiàng)2023年度項(xiàng)目立項(xiàng)名單公示結(jié)束，江南大學(xué)“氮化鎵微波毫米波無(wú)線能量轉(zhuǎn)換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項(xiàng)目獲得立項(xiàng)，這是學(xué)校作為主持單位獲得的首個(gè)千萬(wàn)級(jí)江蘇省重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目。項(xiàng)目總預(yù)算2500萬(wàn)元，省財(cái)經(jīng)費(fèi)支持1000萬(wàn)元。
江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃面向國(guó)家重大戰(zhàn)略需要，聚焦集成電路、新材料、先進(jìn)制造等重點(diǎn)領(lǐng)域，集中力量開展關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和重要標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)，加快推進(jìn)核心技術(shù)自主化。以提升高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新力、影響力為主線，加強(qiáng)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體、未來(lái)網(wǎng)絡(luò)通信等十大高新技術(shù)新興產(chǎn)業(yè)成為構(gòu)筑現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系的新支柱。
“氮化鎵微波毫米波無(wú)線能量轉(zhuǎn)換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”由江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院教授敖金平團(tuán)隊(duì)牽頭組織，聯(lián)合蘇州實(shí)驗(yàn)室、蘇州納維科技有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、無(wú)錫華潤(rùn)安盛科技有限公司、南京大學(xué)、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無(wú)線能量轉(zhuǎn)換芯片相關(guān)方面取得突破性進(jìn)展，并打通從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)從“實(shí)驗(yàn)室”走向“生產(chǎn)線”。
據(jù)了解，高性能的微波-直流轉(zhuǎn)換是實(shí)現(xiàn)中遠(yuǎn)距離無(wú)線能量傳輸?shù)年P(guān)鍵。然而，當(dāng)前基于硅的轉(zhuǎn)換芯片普遍存在效率低，功率容量不足等缺點(diǎn)。氮化鎵材料因其出色的電學(xué)特性被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)高性能微波-直流轉(zhuǎn)換芯片的最佳材料之一。“該項(xiàng)目就是要依托各單位特色優(yōu)勢(shì)，在自支撐氮化鎵材料襯底上研發(fā)出高性能、低成本的微波-直流轉(zhuǎn)換芯片。”敖金平說(shuō)道，“通過(guò)探索新型半導(dǎo)體工藝、先進(jìn)封測(cè)技術(shù)來(lái)提高芯片穩(wěn)定性、可靠性，我們有信心整體性能達(dá)到國(guó)際前沿水平。”
目前，江南大學(xué)建有寬帶隙/超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實(shí)驗(yàn)室，擁有千級(jí)材料生長(zhǎng)和器件工藝超凈間，多臺(tái)器件制備用的光刻機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、磁控濺射臺(tái)、快速熱退火系統(tǒng)等工藝設(shè)備，具有完整的材料生長(zhǎng)、器件制備及測(cè)試評(píng)價(jià)能力。
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